Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 复合波激光光源及曝光装置 | |
| 其他题名 | 复合波激光光源及曝光装置 |
| 冈崎洋二; 永野和彦; 蔵町照彦 | |
| 2004-08-25 | |
| 专利权人 | 亚得科技工程有限公司 |
| 公开日期 | 2004-08-25 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及复合波激光光源及曝光装置。由包括准直透镜(11～17)及聚光透镜(20)的聚光光学系统将从GaN系列半导体激光器(LD1～7)射出的激光束(B1～7)聚光后耦合到多模光纤(30)而进行复合。作为半导体激光器，采用芯片状态的单谐振腔氮化物系化合物半导体激光器(LD1～7)，将其隔着副基座(9)安装在Cu或Cu合金制散热基座(10)上，副基座(9)，采用热膨胀系数为3.5～6.0×10－6/℃的材料并按200～400μm的厚度形成，半导体激光器(LD1～7)，相对于该副基座，在两者的结合面内分割为多个AuSn共晶焊料层及金属化层，并以结朝下结构分割焊接。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及复合波激光光源及曝光装置。由包括准直透镜(11～17)及聚光透镜(20)的聚光光学系统将从GaN系列半导体激光器(LD1～7)射出的激光束(B1～7)聚光后耦合到多模光纤(30)而进行复合。作为半导体激光器，采用芯片状态的单谐振腔氮化物系化合物半导体激光器(LD1～7)，将其隔着副基座(9)安装在Cu或Cu合金制散热基座(10)上，副基座(9)，采用热膨胀系数为3.5～6.0×10－6/℃的材料并按200～400μm的厚度形成，半导体激光器(LD1～7)，相对于该副基座，在两者的结合面内分割为多个AuSn共晶焊料层及金属化层，并以结朝下结构分割焊接。 |
| 申请日期 | 2003-07-10 |
| 专利号 | CN1523450A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03147430.6 |
| 公开（公告）号 | CN1523450A |
| IPC 分类号 | G02B26/10 | G02B27/10 | H01S3/10 | H01S5/02 | H01S5/022 | H01S5/024 | H01S5/323 | H01S5/40 | H04N1/036 | G03F7/22 | H01S5/00 | G02B3/08 |
| 专利代理人 | 李香兰 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91541 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 亚得科技工程有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈崎洋二,永野和彦,蔵町照彦. 复合波激光光源及曝光装置. CN1523450A[P]. 2004-08-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1523450A.PDF（2032KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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