用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料

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	用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料
其他题名	用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料
	程东明
	2013-07-17
专利权人	郑州大学
公开日期	2013-07-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料，是按照下述步骤进行的：A、在热沉上制作锡层、在锡层上镀金层、在金层上镀上负膨胀层，其中金、锡、负膨胀层材料的质量比依次为4:1:0.5~1；B、将步骤A中得到的材料在50~100℃退火1~15分钟。本发明中在金锡合金中掺入了负热膨胀系数材料，这些材料在温度升高时体积反而缩小，温度降时体积变大，与普通材料的热胀冷缩正好相反。本发明利用负热膨胀系数与金锡结合，经过合理的成分配比，得到热膨胀系数与管芯一致的焊料。通过调节的成分比，可以改变最终得到焊料的热膨胀系数。另外，本发明可以掺入到焊膏中，根据想要得到的热膨胀系数，来配比负膨胀系数材料。
其他摘要	本发明公开一种用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料，是按照下述步骤进行的：A、在热沉上制作锡层、在锡层上镀金层、在金层上镀上负膨胀层，其中金、锡、负膨胀层材料的质量比依次为4:1:0.5~1；B、将步骤A中得到的材料在50~100℃退火1~15分钟。本发明中在金锡合金中掺入了负热膨胀系数材料，这些材料在温度升高时体积反而缩小，温度降时体积变大，与普通材料的热胀冷缩正好相反。本发明利用负热膨胀系数与金锡结合，经过合理的成分配比，得到热膨胀系数与管芯一致的焊料。通过调节的成分比，可以改变最终得到焊料的热膨胀系数。另外，本发明可以掺入到焊膏中，根据想要得到的热膨胀系数，来配比负膨胀系数材料。
申请日期	2012-01-12
专利号	CN103205710A
专利状态	授权
申请号	CN201210007630.2
公开（公告）号	CN103205710A
IPC 分类号	C23C14/14 \| C23C14/35 \| C23C14/58 \| C22C1/00
专利代理人	霍彦伟
代理机构	郑州中原专利事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91533
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	郑州大学
推荐引用方式 GB/T 7714	程东明. 用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料. CN103205710A[P]. 2013-07-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103205710A.PDF（353KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文