Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵 | |
其他题名 | 一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵 |
刘兴胜![]() | |
2017-10-26 | |
专利权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
公开日期 | 2017-10-26 |
授权国家 | 世界知识产权组织 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵,满足高功率、环境适应性以及可靠性等要求。半导体激光器制冷结构包括热沉(1),热沉内部具有液体制冷回路;热沉的上表面设置有第一绝缘层(3),第一绝缘层设置有第一导电导热层(5);第一导电导热层在不同位置分别用于布置激光芯片(2)和负极导电层(6a),其中激光芯片的正极面直接键合于第一导电导热层,负极导电层与第一导电导热层表面之间存在绝缘隔层(11a),负极导电层用于与激光芯片的负极面连接;或者,第一导电导热层分为互相绝缘的两个区域,分别作为正极区(51)和负极区(52),其中正极区用于键合激光芯片的正极面,负极区用于与激光芯片的负极面连接。 |
其他摘要 | 一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵,满足高功率、环境适应性以及可靠性等要求。半导体激光器制冷结构包括热沉(1),热沉内部具有液体制冷回路;热沉的上表面设置有第一绝缘层(3),第一绝缘层设置有第一导电导热层(5);第一导电导热层在不同位置分别用于布置激光芯片(2)和负极导电层(6a),其中激光芯片的正极面直接键合于第一导电导热层,负极导电层与第一导电导热层表面之间存在绝缘隔层(11a),负极导电层用于与激光芯片的负极面连接;或者,第一导电导热层分为互相绝缘的两个区域,分别作为正极区(51)和负极区(52),其中正极区用于键合激光芯片的正极面,负极区用于与激光芯片的负极面连接。 |
申请日期 | 2017-04-24 |
专利号 | WO2017182005A1 |
专利状态 | 未确认 |
申请号 | PCT/CN2017/081697 |
公开(公告)号 | WO2017182005A1 |
IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/042 |
专利代理人 | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91528 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴胜,于冬杉,梁雪杰,等. 一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵. WO2017182005A1[P]. 2017-10-26. |
条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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