一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵

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	一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵
其他题名	一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵
	刘兴胜; 于冬杉; 梁雪杰; 张林博; 贾阳涛
	2017-10-26
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2017-10-26
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，满足高功率、环境适应性以及可靠性等要求。半导体激光器制冷结构包括热沉（1），热沉内部具有液体制冷回路；热沉的上表面设置有第一绝缘层（3），第一绝缘层设置有第一导电导热层（5）；第一导电导热层在不同位置分别用于布置激光芯片（2）和负极导电层（6a），其中激光芯片的正极面直接键合于第一导电导热层，负极导电层与第一导电导热层表面之间存在绝缘隔层（11a），负极导电层用于与激光芯片的负极面连接；或者，第一导电导热层分为互相绝缘的两个区域，分别作为正极区（51）和负极区（52），其中正极区用于键合激光芯片的正极面，负极区用于与激光芯片的负极面连接。
其他摘要	一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，满足高功率、环境适应性以及可靠性等要求。半导体激光器制冷结构包括热沉（1），热沉内部具有液体制冷回路；热沉的上表面设置有第一绝缘层（3），第一绝缘层设置有第一导电导热层（5）；第一导电导热层在不同位置分别用于布置激光芯片（2）和负极导电层（6a），其中激光芯片的正极面直接键合于第一导电导热层，负极导电层与第一导电导热层表面之间存在绝缘隔层（11a），负极导电层用于与激光芯片的负极面连接；或者，第一导电导热层分为互相绝缘的两个区域，分别作为正极区（51）和负极区（52），其中正极区用于键合激光芯片的正极面，负极区用于与激光芯片的负极面连接。
申请日期	2017-04-24
专利号	WO2017182005A1
专利状态	未确认
申请号	PCT/CN2017/081697
公开（公告）号	WO2017182005A1
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/042
专利代理人	北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙）
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91528
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兴胜,于冬杉,梁雪杰,等. 一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵. WO2017182005A1[P]. 2017-10-26.