一种GaN基蓝绿光激光二极管器件及制作方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种GaN基蓝绿光激光二极管器件及制作方法
其他题名	一种GaN基蓝绿光激光二极管器件及制作方法
	沈燕; 刘青; 刘欢; 张木青; 徐现刚
	2014-10-01
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2014-10-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种GaN基蓝绿光激光二极管器件，包括由下而上设置的第二衬底、GaN基外延层和N电极，在GaN基外延层的P型面为周期性的脊波导条状结构，在所述脊波导条状结构的表面设置有有P电极，所述P电极宽度小于脊波导条状结构表面的宽度，所述P电极也呈脊波导条状，所述P电极包括底面和倾斜阶梯侧边，所述P电极的底面与所述第二衬底相连，所述P电极的倾斜阶梯侧边与所述第二衬底通过焊接层相连。本发明还涉及一种如上述GaN基蓝绿光激光二极管器件的制作方法。本发明与现有不导电衬底激光二极管平面电极结构相比，采用LED芯片换衬底工艺技术，制备出上下电极的倒装衬底结构的激光器二极管。
其他摘要	本发明涉及一种GaN基蓝绿光激光二极管器件，包括由下而上设置的第二衬底、GaN基外延层和N电极，在GaN基外延层的P型面为周期性的脊波导条状结构，在所述脊波导条状结构的表面设置有有P电极，所述P电极宽度小于脊波导条状结构表面的宽度，所述P电极也呈脊波导条状，所述P电极包括底面和倾斜阶梯侧边，所述P电极的底面与所述第二衬底相连，所述P电极的倾斜阶梯侧边与所述第二衬底通过焊接层相连。本发明还涉及一种如上述GaN基蓝绿光激光二极管器件的制作方法。本发明与现有不导电衬底激光二极管平面电极结构相比，采用LED芯片换衬底工艺技术，制备出上下电极的倒装衬底结构的激光器二极管。
申请日期	2013-03-29
专利号	CN104078837A
专利状态	授权
申请号	CN201310108423.0
公开（公告）号	CN104078837A
IPC 分类号	H01S5/042
专利代理人	吕利敏
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91467
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	沈燕,刘青,刘欢,等. 一种GaN基蓝绿光激光二极管器件及制作方法. CN104078837A[P]. 2014-10-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104078837A.PDF（892KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文