Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 全固态紫外线激光器系统 | |
| 其他题名 | 全固态紫外线激光器系统 |
| U·韦克曼; H·莫恩克 | |
| 2008-02-06 | |
| 专利权人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 公开日期 | 2008-02-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及全固态紫外线激光器系统，这种全固态紫外线激光器系统包括呈VECSEL构造的至少一个半导体激光器(10)。这种半导体激光器(10)中的增益结构(3)发射以一种波长范围的基频辐射，这种波长范围可被倍频至该紫外线区域中的波长。用非线性光学晶体(6)来实现这种倍频，这种非线性光学晶体(6)用于产生二次谐波并布置在半导体激光器(10)的外延腔中。通过半导体激光器的电泵浦，可用公知的半导体材料如GaN来有效地产生低于200nm的波长。激光器系统更加紧凑并可以用低于光泵浦半导体激光器的成本制造。所提出的紫外线激光器系统既紧凑又可以用低于紫外线受激准分子激光器的成本制造和操作。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及全固态紫外线激光器系统，这种全固态紫外线激光器系统包括呈VECSEL构造的至少一个半导体激光器(10)。这种半导体激光器(10)中的增益结构(3)发射以一种波长范围的基频辐射，这种波长范围可被倍频至该紫外线区域中的波长。用非线性光学晶体(6)来实现这种倍频，这种非线性光学晶体(6)用于产生二次谐波并布置在半导体激光器(10)的外延腔中。通过半导体激光器的电泵浦，可用公知的半导体材料如GaN来有效地产生低于200nm的波长。激光器系统更加紧凑并可以用低于光泵浦半导体激光器的成本制造。所提出的紫外线激光器系统既紧凑又可以用低于紫外线受激准分子激光器的成本制造和操作。 |
| 申请日期 | 2006-02-07 |
| 专利号 | CN101120493A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200680005268.8 |
| 公开（公告）号 | CN101120493A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/343 | H01S5/14 | H01S3/109 |
| 专利代理人 | 李亚非 | 刘红 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91452 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | U·韦克曼,H·莫恩克. 全固态紫外线激光器系统. CN101120493A[P]. 2008-02-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101120493A.PDF（447KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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