Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 940nm～1000nm波段半导体激光器量子阱外延结构 | |
| 其他题名 | 940nm～1000nm波段半导体激光器量子阱外延结构 |
| 陈宏泰; 林琳; 车相辉; 王晶; 徐会武; 杨红伟; 安振峰 | |
| 2010-06-30 | |
| 专利权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 公开日期 | 2010-06-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器量子阱外延结构，尤其是一种940nm～1000nm波段的高效率半导体激光器的量子阱外延结构，结构中包括衬底、依次沉积在衬底上的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、电极接触层，其中：上波导层和下波导层为AlxGaAs，x＝0.13～0.2；上限制层和下限制层为AlyGaAs，y＝0.3～0.39。该结构通过优化量子阱外延结构中波导层和限制层的Al含量，解决了半导体激光器的工作电压高、光电转换效率低的问题，达到了降低工作电压，提高光电转换效率的目的。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器量子阱外延结构，尤其是一种940nm～1000nm波段的高效率半导体激光器的量子阱外延结构，结构中包括衬底、依次沉积在衬底上的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、电极接触层，其中：上波导层和下波导层为AlxGaAs，x＝0.13～0.2；上限制层和下限制层为AlyGaAs，y＝0.3～0.39。该结构通过优化量子阱外延结构中波导层和限制层的Al含量，解决了半导体激光器的工作电压高、光电转换效率低的问题，达到了降低工作电压，提高光电转换效率的目的。 |
| 申请日期 | 2010-01-19 |
| 专利号 | CN101764355A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010033399 |
| 公开（公告）号 | CN101764355A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 李荣文 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91377 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宏泰,林琳,车相辉,等. 940nm～1000nm波段半导体激光器量子阱外延结构. CN101764355A[P]. 2010-06-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101764355A.PDF（258KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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