Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件 | |
| 其他题名 | 矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件 |
| 刘志宏; 王圩 | |
| 2005-06-01 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2005-06-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明一种矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件，其特征在于，包括以下基本结构：共m×n个垂直腔面发射激光器单元；其中所述的垂直腔面发射激光器单元包括尺寸依次递减的三个台：底反射镜台、光腔台、和顶反射镜台，还有p电极和n电极；该光腔台制作在底反射镜台之上，该顶反射镜台制作在光腔台之上；该p型电极制作在p型重掺杂导电层上、顶反射镜台周围，且每行垂直腔面发射激光器单元的p电极相连；该n型电极呈环形制作在n型重掺杂导电层上、光腔台周围，且每列垂直腔面发射激光器单元的n电极相连。 |
| 其他摘要 | 本发明一种矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件，其特征在于，包括以下基本结构：共m×n个垂直腔面发射激光器单元；其中所述的垂直腔面发射激光器单元包括尺寸依次递减的三个台：底反射镜台、光腔台、和顶反射镜台，还有p电极和n电极；该光腔台制作在底反射镜台之上，该顶反射镜台制作在光腔台之上；该p型电极制作在p型重掺杂导电层上、顶反射镜台周围，且每行垂直腔面发射激光器单元的p电极相连；该n型电极呈环形制作在n型重掺杂导电层上、光腔台周围，且每列垂直腔面发射激光器单元的n电极相连。 |
| 申请日期 | 2003-11-27 |
| 专利号 | CN1622410A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200310119646.3 |
| 公开（公告）号 | CN1622410A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/42 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91341 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘志宏,王圩. 矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件. CN1622410A[P]. 2005-06-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1622410A.PDF（633KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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