氮化物半导体激光器及外延基板

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	氮化物半导体激光器及外延基板
其他题名	氮化物半导体激光器及外延基板
	京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博
	2014
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2014
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种缩小光封闭性的降低且可实现驱动电压的下降的氮化物半导体激光器。在半导体区域（19）中，发光层（13）的活性层（25）、第一包覆区域（21）及第二包覆区域（23）设置在主面（17a）上。第二包覆区域（23）包含第一p型III族氮化物半导体层（27）及第二p型III族氮化物半导体层（29）。第一p型III族氮化物半导体层（27）由InAlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层（29）由与该InAlGaN层不同的半导体构成。该InAlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层（27）设置在第二p型III族氮化物半导体层（29）与活性层（25）之间。第二p型III族氮化物半导体层（29）的比电阻（ρ29）低于第一p型III族氮化物半导体层（27）的比电阻（ρ27）。
其他摘要	本发明提供一种缩小光封闭性的降低且可实现驱动电压的下降的氮化物半导体激光器。在半导体区域（19）中，发光层（13）的活性层（25）、第一包覆区域（21）及第二包覆区域（23）设置在主面（17a）上。第二包覆区域（23）包含第一p型III族氮化物半导体层（27）及第二p型III族氮化物半导体层（29）。第一p型III族氮化物半导体层（27）由InAlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层（29）由与该InAlGaN层不同的半导体构成。该InAlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层（27）设置在第二p型III族氮化物半导体层（29）与活性层（25）之间。第二p型III族氮化物半导体层（29）的比电阻（ρ29）低于第一p型III族氮化物半导体层（27）的比电阻（ρ27）。
申请日期	2012-02-07
专利号	CN103493316A
专利状态	失效
申请号	CN201280019476
公开（公告）号	CN103493316A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L21/205
专利代理人	李亚 \| 穆德骏
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91308
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	京野孝史,盐谷阳平,住友隆道,等. 氮化物半导体激光器及外延基板. CN103493316A[P]. 2014-01-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103493316A.PDF（2045KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文