Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 櫻井 淳; 吉川 昌宏 | |
| 2009-03-12 | |
| 专利权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 公开日期 | 2009-03-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | (修正有) 【課題】放熱性に優れ、光出力の低下を抑制する面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】VCSEL100は、基板102上に、n型のバッファ層104、n型の下部DBR106、活性領域108、電流狭窄層110、p型の上部DBR112、p型のGaAsコンタクト層114を含む半導体層を積層し、レーザ光を出射するポストPとパッド形成領域118とが半導体層に形成された溝116によって分離されている。パッド形成領域118の外縁122に、半導体層をエッチングし基板に至る深さを有する外周溝140が形成される。パッド形成領域118の表面から外周溝140の側面に至り放熱用金属膜138が形成されている。 【選択図】図3 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种表面发射半导体激光器件，其具有优异的散热性能并且可以抑制光输出的降低。解决方案：VCSEL 100具有包括n型缓冲层104，n型下层DBR 106，有源区108，电流限制层110，p型上层DBR 112和p型的半导体层。GaAs接触层114，层叠在基板102上。激光束发射柱P和焊盘形成区域118由形成在半导体层上的凹槽116分开。另外，焊盘形成区域118的外边界122设置有周边凹槽140，该周边凹槽140通过蚀刻工艺具有到基板的深度。从焊盘形成区域118的表面到周边凹槽140的侧面形成用于散热的金属膜138.Ž |
| 申请日期 | 2007-08-28 |
| 专利号 | JP2009054855A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2007221276 |
| 公开（公告）号 | JP2009054855A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 片寄 恭三 | 片山 修平 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91240 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫻井 淳,吉川 昌宏. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2009054855A[P]. 2009-03-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009054855A.PDF（204KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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