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Er3+,Yb3+,Ce3+共掺的CaF2激光晶体及其生长方法
其他题名Er3+,Yb3+,Ce3+共掺的CaF2激光晶体及其生长方法
徐军; 苏良碧; 李红军; 司继良
2005-10-05
专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期2005-10-05
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种Er3+,Yb3+和Ce3+共掺的CaF2激光晶体及其生长方法,特征在于其组成及其如下摩尔比如下:ErF3∶YbF3∶CeF3∶CaF2∶NaF∶PbF2=(0.001~0.02)∶(0.005~0.15)∶(0.002~0.1)∶(0)∶(0~0.15)∶(0~0.01)。采用熔体法生长激光晶体。本发明晶体的上转换发光的积分强度提高数十倍。该激光晶体Er3+,Yb3+,Ce3+∶CaF2容易大尺寸生长,有利于采用InGaAs激光二极管进行泵浦。该晶体可用于开发高效的LD泵浦全固态上转换可见光激光器。
其他摘要一种Er3+,Yb3+和Ce3+共掺的CaF2激光晶体及其生长方法,特征在于其组成及其如下摩尔比如下:ErF3∶YbF3∶CeF3∶CaF2∶NaF∶PbF2=(0.001~0.02)∶(0.005~0.15)∶(0.002~0.1)∶(0)∶(0~0.15)∶(0~0.01)。采用熔体法生长激光晶体。本发明晶体的上转换发光的积分强度提高数十倍。该激光晶体Er3+,Yb3+,Ce3+∶CaF2容易大尺寸生长,有利于采用InGaAs激光二极管进行泵浦。该晶体可用于开发高效的LD泵浦全固态上转换可见光激光器。
申请日期2005-01-20
专利号CN1676680A
专利状态失效
申请号CN200510023474.9
公开(公告)号CN1676680A
IPC 分类号C30B11/00 | C30B15/00 | C30B29/12 | H01S3/16
专利代理人张泽纯
代理机构上海新天专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91178
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
徐军,苏良碧,李红军,等. Er3+,Yb3+,Ce3+共掺的CaF2激光晶体及其生长方法. CN1676680A[P]. 2005-10-05.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
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