氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置

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	氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置
其他题名	氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置
	太田征孝; 神川刚
	2011-03-30
专利权人	夏普株式会社
公开日期	2011-03-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置。提供一种能够提高发光效率的氮化物半导体元件。该氮化物半导体激光元件(氮化物半导体元件)具备：具有生长主面的GaN基板、在该GaN基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，势垒层由包含Al的氮化物半导体即AlGaN构成。
其他摘要	本发明涉及一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置。提供一种能够提高发光效率的氮化物半导体元件。该氮化物半导体激光元件(氮化物半导体元件)具备：具有生长主面的GaN基板、在该GaN基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，势垒层由包含Al的氮化物半导体即AlGaN构成。
申请日期	2010-08-23
专利号	CN101997268A
专利状态	失效
申请号	CN201010261394
公开（公告）号	CN101997268A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/343
专利代理人	葛青
代理机构	北京市柳沈律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91161
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	夏普株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	太田征孝,神川刚. 氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置. CN101997268A[P]. 2011-03-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101997268A.PDF（20380KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文