一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法

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	一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法
其他题名	一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法
	曲轶; 郭海侠; 石宝华; 高峰; 李再金; 李辉; 乔忠良; 张晶
	2016-03-16
专利权人	长春理工大学
公开日期	2016-03-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明利用全息光刻和湿法腐蚀工艺制备出适用于大功率808nm半导体激光器的分布反馈布拉格光栅，涉及半导体器件制造技术领域。其特征在于，利用金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)技术在GaAs基上进行一次外延生长，利用曝光源为325nmHe-Cd激光器的全息曝光系统对已制备好的外延片进行曝光，经历显影、坚膜，最后利用体积配比为HCl:C2H6O2＝3:2的腐蚀液对InGaP光栅层进行腐蚀，获得光栅。其中本发明有益效果是在InGaP光栅层上制备出具有较好形貌的二阶光栅，且其占空比和凹槽深度等参数决定了激光器具有窄线宽和较小的波长漂移度。同时，这种工艺可用于其它波长的大功率化合物半导体激光器，具有广泛的应用价值。
其他摘要	本发明利用全息光刻和湿法腐蚀工艺制备出适用于大功率808nm半导体激光器的分布反馈布拉格光栅，涉及半导体器件制造技术领域。其特征在于，利用金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)技术在GaAs基上进行一次外延生长，利用曝光源为325nmHe-Cd激光器的全息曝光系统对已制备好的外延片进行曝光，经历显影、坚膜，最后利用体积配比为HCl:C2H6O2＝3:2的腐蚀液对InGaP光栅层进行腐蚀，获得光栅。其中本发明有益效果是在InGaP光栅层上制备出具有较好形貌的二阶光栅，且其占空比和凹槽深度等参数决定了激光器具有窄线宽和较小的波长漂移度。同时，这种工艺可用于其它波长的大功率化合物半导体激光器，具有广泛的应用价值。
申请日期	2014-09-15
专利号	CN105406354A
专利状态	失效
申请号	CN201410468409.6
公开（公告）号	CN105406354A
IPC 分类号	H01S5/12
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91139
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	曲轶,郭海侠,石宝华,等. 一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法. CN105406354A[P]. 2016-03-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105406354A.PDF（290KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文