一种基于硅纳米针的光控太赫兹波幅度调制器

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	一种基于硅纳米针的光控太赫兹波幅度调制器
其他题名	一种基于硅纳米针的光控太赫兹波幅度调制器
	文岐业; 刘浩天; 史中伟; 杨青慧; 文天龙; 陈智; 荆玉兰; 张怀武
	2016-08-31
专利权人	电子科技大学
公开日期	2016-08-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于太赫兹成像领域技术，涉及太赫兹成像相关领域的调制器件，具体提供一种基于硅纳米针的光控太赫兹波幅度调制器，包括半导体激光器、光纤、光纤调制器及太赫兹幅度调制结构，所述半导体激光器产生的激光通过光纤耦合进入光纤调制器；其特征在于，所述太赫兹幅度调制结构由硅基底层及其表面的硅纳米针尖阵列构成，所述光纤调制器输出调制激光入射到硅纳米针尖阵列表面。本发明采用硅纳米针尖阵列和高阻硅/本征硅层的双层结构；硅纳米针尖阵列的在高阻硅/本征硅的表面形成折射率的梯度变化，能够同时降低太赫兹波和泵浦激光的反射，显著降低器件插损和提高对泵浦激光的利用率，实现器件在较小的泵浦激光功率下获得相对较高的调制深度。
其他摘要	本发明属于太赫兹成像领域技术，涉及太赫兹成像相关领域的调制器件，具体提供一种基于硅纳米针的光控太赫兹波幅度调制器，包括半导体激光器、光纤、光纤调制器及太赫兹幅度调制结构，所述半导体激光器产生的激光通过光纤耦合进入光纤调制器；其特征在于，所述太赫兹幅度调制结构由硅基底层及其表面的硅纳米针尖阵列构成，所述光纤调制器输出调制激光入射到硅纳米针尖阵列表面。本发明采用硅纳米针尖阵列和高阻硅/本征硅层的双层结构；硅纳米针尖阵列的在高阻硅/本征硅的表面形成折射率的梯度变化，能够同时降低太赫兹波和泵浦激光的反射，显著降低器件插损和提高对泵浦激光的利用率，实现器件在较小的泵浦激光功率下获得相对较高的调制深度。
申请日期	2016-07-08
专利号	CN105914565A
专利状态	申请中
申请号	CN201610533950.X
公开（公告）号	CN105914565A
IPC 分类号	H01S1/02
专利代理人	甘茂
代理机构	电子科技大学专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91048
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	电子科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	文岐业,刘浩天,史中伟,等. 一种基于硅纳米针的光控太赫兹波幅度调制器. CN105914565A[P]. 2016-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105914565A.PDF（202KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文