III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法

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	III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法
其他题名	III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法
	善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二
	2014-09-10
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2014-09-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。
其他摘要	本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。
申请日期	2010-11-15
专利号	CN102668279B
专利状态	失效
申请号	CN201080058983.4
公开（公告）号	CN102668279B
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/343
专利代理人	谢丽娜 \| 关兆辉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91014
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	善积祐介,高木慎平,池上隆俊,等. III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法. CN102668279B[P]. 2014-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102668279B.PDF（4784KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文