热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法

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	热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法
其他题名	热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法
	舒世立; 佟存柱; 田思聪; 汪丽杰; 宁永强; 王立军
	2015-04-08
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2015-04-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法，属于半导体激光器芯片封装技术领域。解决了现有技术中金属热沉热膨胀系数大，大部分陶瓷热沉导热系数差，而具有低膨胀、高导热特性的陶瓷热沉又价格昂贵难于加工的问题。该热沉由20–80vol.％的Cu和20–80vol.％的陶瓷颗粒组成，其中，陶瓷颗粒为TiB2、TiC、ZrB2或者ZrC。本发明的Cu热沉可以通过调节其陶瓷颗粒含量使其热膨胀系数在5.91×10-6/K到13.44×10-6/K范围内可调，进而使其与半导体激光器芯片热膨胀系数匹配，降低焊接的内应力，提高半导体激光器的可靠性和使用寿命，适用于半导体激光器芯片散热与封装。
其他摘要	本发明公开了一种热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法，属于半导体激光器芯片封装技术领域。解决了现有技术中金属热沉热膨胀系数大，大部分陶瓷热沉导热系数差，而具有低膨胀、高导热特性的陶瓷热沉又价格昂贵难于加工的问题。该热沉由20–80vol.％的Cu和20–80vol.％的陶瓷颗粒组成，其中，陶瓷颗粒为TiB2、TiC、ZrB2或者ZrC。本发明的Cu热沉可以通过调节其陶瓷颗粒含量使其热膨胀系数在5.91×10-6/K到13.44×10-6/K范围内可调，进而使其与半导体激光器芯片热膨胀系数匹配，降低焊接的内应力，提高半导体激光器的可靠性和使用寿命，适用于半导体激光器芯片散热与封装。
申请日期	2014-11-27
专利号	CN104498766A
专利状态	失效
申请号	CN201410706027.2
公开（公告）号	CN104498766A
IPC 分类号	C22C9/00 \| C22C32/00 \| C22C29/00 \| C22C1/05 \| H01S5/024
专利代理人	王丹阳
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90984
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	舒世立,佟存柱,田思聪,等. 热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法. CN104498766A[P]. 2015-04-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104498766A.PDF（730KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文