OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
半导体激光装置
Alternative Title半导体激光装置
玄永康一; 田中宏和; 弓削省三; 河本聪; 盐泽秀夫
2011-04-06
Rights Holder株式会社东芝
Date Available2011-04-06
Country中国
Subtype发明申请
Abstract本发明提供一种半导体激光装置,可降低偏振方向的角度偏离,其包括:激光器阵列,其具有:具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极;底座,其具有:绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05~0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层,上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
Other Abstract本发明提供一种半导体激光装置,可降低偏振方向的角度偏离,其包括:激光器阵列,其具有:具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极;底座,其具有:绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05~0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层,上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
Application Date2010-03-08
Patent NumberCN102005700A
Status失效
Application NumberCN201010129717.8
Open (Notice) NumberCN102005700A
IPC Classification NumberH01S5/40 | H01S5/022 | H01S5/02 | H01S5/22
Patent Agent王永刚
Agency中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90949
Collection半导体激光器专利数据库
Affiliation株式会社东芝
Recommended Citation
GB/T 7714
玄永康一,田中宏和,弓削省三,等. 半导体激光装置. CN102005700A[P]. 2011-04-06.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
CN102005700A.PDF(754KB)专利 开放获取CC BY-NC-SAApplication Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[玄永康一]'s Articles
[田中宏和]'s Articles
[弓削省三]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[玄永康一]'s Articles
[田中宏和]'s Articles
[弓削省三]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[玄永康一]'s Articles
[田中宏和]'s Articles
[弓削省三]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.