Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体激光装置 | |
其他题名 | 半导体激光装置 |
玄永康一; 田中宏和; 弓削省三; 河本聪; 盐泽秀夫 | |
2011-04-06 | |
专利权人 | 株式会社东芝 |
公开日期 | 2011-04-06 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供一种半导体激光装置,可降低偏振方向的角度偏离,其包括:激光器阵列,其具有:具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极;底座,其具有:绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05~0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层,上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。 |
其他摘要 | 本发明提供一种半导体激光装置,可降低偏振方向的角度偏离,其包括:激光器阵列,其具有:具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极;底座,其具有:绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05~0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层,上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。 |
申请日期 | 2010-03-08 |
专利号 | CN102005700A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201010129717.8 |
公开(公告)号 | CN102005700A |
IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/022 | H01S5/02 | H01S5/22 |
专利代理人 | 王永刚 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90949 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社东芝 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 玄永康一,田中宏和,弓削省三,等. 半导体激光装置. CN102005700A[P]. 2011-04-06. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN102005700A.PDF(754KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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