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半导体激光装置
其他题名半导体激光装置
玄永康一; 田中宏和; 弓削省三; 河本聪; 盐泽秀夫
2011-04-06
专利权人株式会社东芝
公开日期2011-04-06
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种半导体激光装置,可降低偏振方向的角度偏离,其包括:激光器阵列,其具有:具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极;底座,其具有:绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05~0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层,上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
其他摘要本发明提供一种半导体激光装置,可降低偏振方向的角度偏离,其包括:激光器阵列,其具有:具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极;底座,其具有:绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05~0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层,上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
申请日期2010-03-08
专利号CN102005700A
专利状态失效
申请号CN201010129717.8
公开(公告)号CN102005700A
IPC 分类号H01S5/40 | H01S5/022 | H01S5/02 | H01S5/22
专利代理人王永刚
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90949
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社东芝
推荐引用方式
GB/T 7714
玄永康一,田中宏和,弓削省三,等. 半导体激光装置. CN102005700A[P]. 2011-04-06.
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CN102005700A.PDF(754KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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