多叠层隧道级联半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	多叠层隧道级联半导体激光器
其他题名	多叠层隧道级联半导体激光器
	陈宏泰; 林琳; 车相辉; 王晶; 位永平; 张宇; 宁吉丰
	2015-08-19
专利权人	中国电子科技集团公司第十三研究所
公开日期	2015-08-19
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。本发明采用带有超晶格的特殊隧道结形成隧道级联半导体激光器，大大提高了半导体激光器的输出光功率，且优化后的隧道结使得半导体激光器中隧道结处的内阻及其压降变小；通过在半导体激光器内加入扩展波导，大大减小了光输出的远场发散角；本发明具有较高的经济效益，有利于高功率半导体激光器的小型化应用。
其他摘要	本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。本发明采用带有超晶格的特殊隧道结形成隧道级联半导体激光器，大大提高了半导体激光器的输出光功率，且优化后的隧道结使得半导体激光器中隧道结处的内阻及其压降变小；通过在半导体激光器内加入扩展波导，大大减小了光输出的远场发散角；本发明具有较高的经济效益，有利于高功率半导体激光器的小型化应用。
申请日期	2012-05-28
专利号	CN102651536B
专利状态	授权
申请号	CN201210168458.9
公开（公告）号	CN102651536B
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/20
专利代理人	李荣文
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90911
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第十三研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈宏泰,林琳,车相辉,等. 多叠层隧道级联半导体激光器. CN102651536B[P]. 2015-08-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102651536B.PDF（761KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文