采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路

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	采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路
其他题名	采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路
	黄果池; 李景虎; 张远燚
	2014-08-13
专利权人	福建一丁芯半导体股份有限公司
公开日期	2014-08-13
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，属于集成电路领域，本实用新型目的是在不增加驱动器功耗的同时增大驱动器的电压增益-3dB带宽，增强高频调制电流输出能力，改善输出高频电流信号的眼图特性。本实用新型采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；所述差分放大器包括可控电流源In1、NMOS晶体管Nn1、NMOS晶体管Nn2、负载电阻Rn1、负载电阻Rn2、电容Cn1和电容Cn2；所述源极跟随器包括可控电流源In2、可控电流源In3、NMOS晶体管Nn3和NMOS晶体管Nn4。
其他摘要	采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，属于集成电路领域，本实用新型目的是在不增加驱动器功耗的同时增大驱动器的电压增益-3dB带宽，增强高频调制电流输出能力，改善输出高频电流信号的眼图特性。本实用新型采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；所述差分放大器包括可控电流源In1、NMOS晶体管Nn1、NMOS晶体管Nn2、负载电阻Rn1、负载电阻Rn2、电容Cn1和电容Cn2；所述源极跟随器包括可控电流源In2、可控电流源In3、NMOS晶体管Nn3和NMOS晶体管Nn4。
申请日期	2014-04-23
专利号	CN203774608U
专利状态	失效
申请号	CN201420201414.6
公开（公告）号	CN203774608U
IPC 分类号	H01S5/042
专利代理人	张宏威
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90909
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福建一丁芯半导体股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	黄果池,李景虎,张远燚. 采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路. CN203774608U[P]. 2014-08-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN203774608U.PDF（821KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文