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半导体激光装置及其制造方法
其他题名半导体激光装置及其制造方法
土田和弘
2017-06-23
专利权人夏普株式会社
公开日期2017-06-23
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要半导体激光装置(1)具备:半导体激光元件(4),其从射出区域(4a)射出激光;盖罩(5),其具有覆盖半导体激光元件(4)的周壁(5a)以及顶壁(5b),并且在顶壁(5b)开出与射出区域(4a)对置的窗部(5c);和透明的光学部件(6),其堵塞窗部(5c),光学部件(6)是使液状树脂(20)固化而形成的,并且由光学部件(6)来夹持顶壁(5b),光学部件(6)的与射出区域(4a)面对的光入射面(6b)通过液状树脂(20)的自然流动而形成。
其他摘要半导体激光装置(1)具备:半导体激光元件(4),其从射出区域(4a)射出激光;盖罩(5),其具有覆盖半导体激光元件(4)的周壁(5a)以及顶壁(5b),并且在顶壁(5b)开出与射出区域(4a)对置的窗部(5c);和透明的光学部件(6),其堵塞窗部(5c),光学部件(6)是使液状树脂(20)固化而形成的,并且由光学部件(6)来夹持顶壁(5b),光学部件(6)的与射出区域(4a)面对的光入射面(6b)通过液状树脂(20)的自然流动而形成。
申请日期2014-08-21
专利号CN104718671B
专利状态授权
申请号CN201480002382.X
公开(公告)号CN104718671B
IPC 分类号H01S5/022
专利代理人吴秋明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90864
专题半导体激光器专利数据库
作者单位夏普株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
土田和弘. 半导体激光装置及其制造方法. CN104718671B[P]. 2017-06-23.
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