一种量子点材料结构及其生长方法

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	一种量子点材料结构及其生长方法
其他题名	一种量子点材料结构及其生长方法
	焦玉恒; 吴巨; 徐波; 金鹏; 王占国
	2008-03-19
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2008-03-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种量子点材料结构，该结构包括：用于支撑整个量子点材料结构的砷化镓GaAs衬底(10)；在GaAs衬底(10)上生长的外延层结构，包括缓冲层(11、12、13)和InAs量子点层(14)；其中，所述缓冲层包括在衬底上依次生长的GaAs缓冲层(11)、InxGa1－xAs阶变缓冲层(12)和InyGa1－yAs单一成分层(13)，InAs量子点层(14)生长在InyGa1－yAs单一成分层(13)之上。本发明同时公开了一种量子点材料结构的生长方法。利用本发明，实现利用简单的工艺制备大面积的有序分布的量子点，工艺简单，不需要生长前对基体进行特殊处理工艺，与分子束外延工艺完全兼容。同时易于大面积制备有序排列的自组织量子点阵列材料，对于量子点材料在未来量子器件中的应用具有重要的意义。
其他摘要	本发明公开了一种量子点材料结构，该结构包括：用于支撑整个量子点材料结构的砷化镓GaAs衬底(10)；在GaAs衬底(10)上生长的外延层结构，包括缓冲层(11、12、13)和InAs量子点层(14)；其中，所述缓冲层包括在衬底上依次生长的GaAs缓冲层(11)、InxGa1－xAs阶变缓冲层(12)和InyGa1－yAs单一成分层(13)，InAs量子点层(14)生长在InyGa1－yAs单一成分层(13)之上。本发明同时公开了一种量子点材料结构的生长方法。利用本发明，实现利用简单的工艺制备大面积的有序分布的量子点，工艺简单，不需要生长前对基体进行特殊处理工艺，与分子束外延工艺完全兼容。同时易于大面积制备有序排列的自组织量子点阵列材料，对于量子点材料在未来量子器件中的应用具有重要的意义。
申请日期	2006-09-13
专利号	CN101145590A
专利状态	失效
申请号	CN200610112934.X
公开（公告）号	CN101145590A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L31/0304 \| H01L31/18 \| H01L21/20 \| H01S5/00 \| H01L33/12
专利代理人	周国城
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90796
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	焦玉恒,吴巨,徐波,等. 一种量子点材料结构及其生长方法. CN101145590A[P]. 2008-03-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101145590A.PDF（708KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文