Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法 | |
其他题名 | 一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法 |
罗飚; 汤宝; 王任凡; 刘应军 | |
2016-03-23 | |
专利权人 | 武汉电信器件有限公司 |
公开日期 | 2016-03-23 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明适用于光电子技术领域,提供了一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法,包括:将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上;利用电子束蒸发SiO2,并在脊波导结构上生长SiO2达到预设时间后,控制托盘温度进行退火;在完成退火后,再次进行电子束蒸发SiO2,并依据预设时间周期性的完成电子束蒸发SiO2在脊波导结构上生长SiO2和控制托盘温度进行退火的操作,直到生成指定厚度SiO2薄膜后停止电子束蒸发SiO2。本发明实施例利用了电子束蒸发SiO2的方式改进了生长得到的SiO2层表面质量,并针对SiO2层中可能存在的应力,提出了将原本待生长指定厚度的SiO2,分离成多次生长和退火的过程,从而将应力有效的减小。 |
其他摘要 | 本发明适用于光电子技术领域,提供了一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法,包括:将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上;利用电子束蒸发SiO2,并在脊波导结构上生长SiO2达到预设时间后,控制托盘温度进行退火;在完成退火后,再次进行电子束蒸发SiO2,并依据预设时间周期性的完成电子束蒸发SiO2在脊波导结构上生长SiO2和控制托盘温度进行退火的操作,直到生成指定厚度SiO2薄膜后停止电子束蒸发SiO2。本发明实施例利用了电子束蒸发SiO2的方式改进了生长得到的SiO2层表面质量,并针对SiO2层中可能存在的应力,提出了将原本待生长指定厚度的SiO2,分离成多次生长和退火的过程,从而将应力有效的减小。 |
申请日期 | 2015-11-25 |
专利号 | CN105429000A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201510828598.8 |
公开(公告)号 | CN105429000A |
IPC 分类号 | H01S5/227 | C23C14/30 | C23C14/10 |
专利代理人 | 张瑾 | 程殿军 |
代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90773 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗飚,汤宝,王任凡,等. 一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法. CN105429000A[P]. 2016-03-23. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN105429000A.PDF(703KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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