一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法

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	一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法
其他题名	一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法
	徐天鸿; 黎华; 曹俊诚
	2016-11-02
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2016-11-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述衬底表面的GaAs缓冲层；位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述下接触层表面的有源区；位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层；位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层，各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽；及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层；所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段，和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段，主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器，解决了现有光放大器是分立器件，无法与前级THz QCL同时制备，实现片上集成，而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。
其他摘要	本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述衬底表面的GaAs缓冲层；位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述下接触层表面的有源区；位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层；位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层，各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽；及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层；所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段，和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段，主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器，解决了现有光放大器是分立器件，无法与前级THz QCL同时制备，实现片上集成，而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。
申请日期	2016-06-08
专利号	CN106067656A
专利状态	授权
申请号	CN201610404270.8
公开（公告）号	CN106067656A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/24 \| H01S5/06 \| H01S5/10 \| H01S3/10
专利代理人	余明伟
代理机构	上海光华专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90763
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐天鸿,黎华,曹俊诚. 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法. CN106067656A[P]. 2016-11-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106067656A.PDF（253KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文