Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法 | |
其他题名 | 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法 |
徐天鸿; 黎华; 曹俊诚 | |
2016-11-02 | |
专利权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
公开日期 | 2016-11-02 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器,包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述衬底表面的GaAs缓冲层;位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述下接触层表面的有源区;位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层;位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层,各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽;及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层;所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段,和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段,主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器,解决了现有光放大器是分立器件,无法与前级THz QCL同时制备,实现片上集成,而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。 |
其他摘要 | 本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器,包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述衬底表面的GaAs缓冲层;位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述下接触层表面的有源区;位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层;位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层,各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽;及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层;所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段,和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段,主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器,解决了现有光放大器是分立器件,无法与前级THz QCL同时制备,实现片上集成,而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。 |
申请日期 | 2016-06-08 |
专利号 | CN106067656A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201610404270.8 |
公开(公告)号 | CN106067656A |
IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/24 | H01S5/06 | H01S5/10 | H01S3/10 |
专利代理人 | 余明伟 |
代理机构 | 上海光华专利事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90763 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐天鸿,黎华,曹俊诚. 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法. CN106067656A[P]. 2016-11-02. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106067656A.PDF(253KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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