Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种电致单光子源器件及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种电致单光子源器件及其制备方法 |
| 马奔; 陈泽升; 尚向军; 倪海桥; 牛智川 | |
| 2016-11-09 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2016-11-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种电致单光子源器件及其制备方法，该电致单光子源器件包括衬底；微柱结构，设置于衬底一侧；微柱填充物形成在所述微柱结构的侧壁外围，其高度不高于微柱结构高度；欧姆接触层，覆盖微柱结构和微柱填充物，并与微柱结构形成欧姆接触；上电极，设置在欧姆接触层上；以及下电极，形成于衬底的另一侧，该制备方法采用制备欧姆接触层形成于微柱结构与上电极之间，对工艺和设备要求不高。 |
| 其他摘要 | 一种电致单光子源器件及其制备方法，该电致单光子源器件包括衬底；微柱结构，设置于衬底一侧；微柱填充物形成在所述微柱结构的侧壁外围，其高度不高于微柱结构高度；欧姆接触层，覆盖微柱结构和微柱填充物，并与微柱结构形成欧姆接触；上电极，设置在欧姆接触层上；以及下电极，形成于衬底的另一侧，该制备方法采用制备欧姆接触层形成于微柱结构与上电极之间，对工艺和设备要求不高。 |
| 申请日期 | 2016-06-30 |
| 专利号 | CN106099642A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201610510717.X |
| 公开（公告）号 | CN106099642A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90760 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马奔,陈泽升,尚向军,等. 一种电致单光子源器件及其制备方法. CN106099642A[P]. 2016-11-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106099642A.PDF（150KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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