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Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan;  Ma, Ben;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan;  Ni, HQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices, Beijing 100083, Peoples R China.
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Thz Detector  High Electron Mobility Transistor  Two-dimensional Electron Gas  Inp  
一种电致单光子源器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106099642A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09
发明人:  马奔;  陈泽升;  尚向军;  倪海桥;  牛智川
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