一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法
其他题名	一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法
	赵建宜; 王任凡; 张明洋
	2016-11-09
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2016-11-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法。所述激光器包括至少两个DBR激光器，DBR激光器包括有源区结构和光栅区结构，DBR激光器的光栅区结构包括一个或者多个光栅区，各光栅区相隔指定长度；其中，采用具有相同光栅周期的光栅构成各DBR中的光栅区；在各DBR激光器中，由各自的一光栅区长度和相应光栅区相隔的一指定长度所构成的取样长度值，是根据该DBR激光器所要激射的波长所确定。本发明通过对光栅进行不同周期的取样制作，使得不同DBR激光器的激射波长不同，实现低成本的多波长阵列激光器，通过取样光栅设计及有源区设计，可以使得激光器阵列中各个激光器性能具备高度的一致性。
其他摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法。所述激光器包括至少两个DBR激光器，DBR激光器包括有源区结构和光栅区结构，DBR激光器的光栅区结构包括一个或者多个光栅区，各光栅区相隔指定长度；其中，采用具有相同光栅周期的光栅构成各DBR中的光栅区；在各DBR激光器中，由各自的一光栅区长度和相应光栅区相隔的一指定长度所构成的取样长度值，是根据该DBR激光器所要激射的波长所确定。本发明通过对光栅进行不同周期的取样制作，使得不同DBR激光器的激射波长不同，实现低成本的多波长阵列激光器，通过取样光栅设计及有源区设计，可以使得激光器阵列中各个激光器性能具备高度的一致性。
申请日期	2016-08-26
专利号	CN106099639A
专利状态	申请中
申请号	CN201610740283.2
公开（公告）号	CN106099639A
IPC 分类号	H01S5/125
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90755
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	赵建宜,王任凡,张明洋. 一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法. CN106099639A[P]. 2016-11-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106099639A.PDF（1494KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文