具有吸除剂层的发光半导体器件

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	具有吸除剂层的发光半导体器件
其他题名	具有吸除剂层的发光半导体器件
	U.维奇曼恩; J.S.科布; A.P.恩格哈德特; H.梅恩奇; M.F.C.谢曼恩
	2016-10-12
专利权人	皇家飞利浦有限公司
公开日期	2016-10-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明描述了一种发光半导体器件（100），包括衬底（120）、发光层结构（155）和用于减少发光层结构（155）中的杂质的AlGaAs吸气剂层（190），发光层结构（155）包括有源层（140）和变化的铝含量的层，其中包括铝的发光层结构（155）的层的生长条件与AlGaAs吸气剂层（190）的生长条件相比是不同的。AlGaAs吸气剂层（190）实现了沉积装备或生长反应器的气相中的比如硫等那样的杂质的浓度的降低。这样的杂质的减少降低了发光层结构（155）中可能影响发光半导体器件（100）的寿命的杂质的合并的概率。生长条件从组砷分压、氧分压、沉积温度、总沉积压力和铝的沉积速率中选择。本发明进一步涉及制造这样的发光半导体器件（100）的对应方法。
其他摘要	本发明描述了一种发光半导体器件（100），包括衬底（120）、发光层结构（155）和用于减少发光层结构（155）中的杂质的AlGaAs吸气剂层（190），发光层结构（155）包括有源层（140）和变化的铝含量的层，其中包括铝的发光层结构（155）的层的生长条件与AlGaAs吸气剂层（190）的生长条件相比是不同的。AlGaAs吸气剂层（190）实现了沉积装备或生长反应器的气相中的比如硫等那样的杂质的浓度的降低。这样的杂质的减少降低了发光层结构（155）中可能影响发光半导体器件（100）的寿命的杂质的合并的概率。生长条件从组砷分压、氧分压、沉积温度、总沉积压力和铝的沉积速率中选择。本发明进一步涉及制造这样的发光半导体器件（100）的对应方法。
申请日期	2015-02-20
专利号	CN106030938A
专利状态	申请中
申请号	CN201580010520.3
公开（公告）号	CN106030938A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/323 \| H01L21/02 \| H01L33/00 \| H01L33/02 \| H01L33/12 \| H01L33/10 \| H01S5/00 \| H01S5/30 \| H01S5/343
专利代理人	张同庆 \| 陈岚
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90730
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	皇家飞利浦有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	U.维奇曼恩,J.S.科布,A.P.恩格哈德特,等. 具有吸除剂层的发光半导体器件. CN106030938A[P]. 2016-10-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106030938A.PDF（441KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文