一种电吸收调制激光器及其制造方法

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	一种电吸收调制激光器及其制造方法
其他题名	一种电吸收调制激光器及其制造方法
	熊永华; 万枫; 王任凡
	2017-05-31
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及电吸收调制激光器技术领域，提供了一种电吸收调制激光器及其制造方法。其中所述激光器部分的衬底上刻制有光栅结构，所述光栅结构的两侧制作有选择生长图形，所述选择生长图形上和电吸收调制器部分中对应延伸自所述生长图形区域外延生长有多量子阱有源区；其中，所述多量子阱有源区呈台面结构；所述激光器部分和电吸收调制器部分还包括掺铁InP层、n型InP层、P型InP包层和P型掺杂InP欧姆接触层；所述n型InP层和P型InP包层各自分别位于所述台面结构的两侧。本发明实施例不仅通过所述掺铁InP层实现了光场限制，改善芯片的远场发散角特性；而且，掺铁掩埋还能有效提高调制器高速频响特性。
其他摘要	本发明涉及电吸收调制激光器技术领域，提供了一种电吸收调制激光器及其制造方法。其中所述激光器部分的衬底上刻制有光栅结构，所述光栅结构的两侧制作有选择生长图形，所述选择生长图形上和电吸收调制器部分中对应延伸自所述生长图形区域外延生长有多量子阱有源区；其中，所述多量子阱有源区呈台面结构；所述激光器部分和电吸收调制器部分还包括掺铁InP层、n型InP层、P型InP包层和P型掺杂InP欧姆接触层；所述n型InP层和P型InP包层各自分别位于所述台面结构的两侧。本发明实施例不仅通过所述掺铁InP层实现了光场限制，改善芯片的远场发散角特性；而且，掺铁掩埋还能有效提高调制器高速频响特性。
申请日期	2017-02-27
专利号	CN106785916A
专利状态	授权
申请号	CN201710108949.7
公开（公告）号	CN106785916A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90723
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	熊永华,万枫,王任凡. 一种电吸收调制激光器及其制造方法. CN106785916A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785916A.PDF（186KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文