半导体发光元件以及其制造方法

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	半导体发光元件以及其制造方法
其他题名	半导体发光元件以及其制造方法
	市原隆志; 吉田裕史; 山田孝夫; 若井阳平
	2010-07-07
专利权人	日亚化学工业株式会社
公开日期	2010-07-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，使蓝宝石晶片形成芯片时，能够以极高的成品率正确地形成芯片。该半导体发光元件的制造方法是从具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件的方法，其具有如下的工序：在平行所述定位面的方向(Xo)具有偏移角(θ)的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向(Xo)的方向(Y)上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角(θ)的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。
其他摘要	本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，使蓝宝石晶片形成芯片时，能够以极高的成品率正确地形成芯片。该半导体发光元件的制造方法是从具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件的方法，其具有如下的工序：在平行所述定位面的方向(Xo)具有偏移角(θ)的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向(Xo)的方向(Y)上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角(θ)的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。
申请日期	2008-07-31
专利号	CN101772846A
专利状态	授权
申请号	CN200880101844.8
公开（公告）号	CN101772846A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L21/301 \| H01S5/323
专利代理人	张远
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90689
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亚化学工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	市原隆志,吉田裕史,山田孝夫,等. 半导体发光元件以及其制造方法. CN101772846A[P]. 2010-07-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101772846A.PDF（1320KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文