光电子半导体芯片

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	光电子半导体芯片
其他题名	光电子半导体芯片
	亚德里恩·阿夫拉梅斯库; 福尔克尔·黑勒; 卢茨·赫佩尔; 马蒂亚斯·彼得; 马蒂亚斯·扎巴蒂尔; 乌韦·施特劳斯
	2012-09-12
专利权人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
公开日期	2012-09-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请涉及一种光电子半导体芯片(20)，在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域：用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)；有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体；以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中有源区(2)包括为产生辐射而设置的量子阱结构(8)；并且朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(8)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。此外，本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导体芯片(20)的方法。
其他摘要	本申请涉及一种光电子半导体芯片(20)，在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域：用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)；有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体；以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中有源区(2)包括为产生辐射而设置的量子阱结构(8)；并且朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(8)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。此外，本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导体芯片(20)的方法。
申请日期	2006-07-28
专利号	CN102664223A
专利状态	失效
申请号	CN201210107419.8
公开（公告）号	CN102664223A
IPC 分类号	H01L33/04 \| H01S5/042 \| H01S5/343 \| B82Y20/00 \| H01L33/06 \| H01L33/32
专利代理人	王萍 \| 李春晖
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90675
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
推荐引用方式 GB/T 7714	亚德里恩·阿夫拉梅斯库,福尔克尔·黑勒,卢茨·赫佩尔,等. 光电子半导体芯片. CN102664223A[P]. 2012-09-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102664223A.PDF（968KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文