一种半导体光放大器

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	一种半导体光放大器
其他题名	一种半导体光放大器
	魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 张晶; 郝永芹; 王菲; 马晓辉; 王晓华
	2017-05-31
专利权人	长春理工大学
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体光放大器，特别涉及一种具有抛物线形曲面波导结构的GaAs基半导体光放大器。该半导体光放大器材料为GaAs基材料体系，在N型GaAs衬底上依次外延N型AlxGa1‑xAs缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、N型N‑AlxGa1‑xAs下波导层、InxGa1‑xAs量子阱有源区、P型AlxGa1‑xAs上波导层、P型AlGaAsSb上限制层。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层为具有抛物线形曲面结构，该结构可使抛物线形曲面尖端具有更高的光子密度，提高半导体光放大器的模式体积，使其具有更高的增益，同时该抛物线形曲面波导结构有利于压缩半导体光放大器的发散角，实现高功率输出，提高光纤耦合效率。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层的抛物线形曲面结构通过电子束曝光或紫外光刻，然后采用干法与湿法相结合的刻蚀工艺制备得到。
其他摘要	本发明公开了一种半导体光放大器，特别涉及一种具有抛物线形曲面波导结构的GaAs基半导体光放大器。该半导体光放大器材料为GaAs基材料体系，在N型GaAs衬底上依次外延N型AlxGa1‑xAs缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、N型N‑AlxGa1‑xAs下波导层、InxGa1‑xAs量子阱有源区、P型AlxGa1‑xAs上波导层、P型AlGaAsSb上限制层。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层为具有抛物线形曲面结构，该结构可使抛物线形曲面尖端具有更高的光子密度，提高半导体光放大器的模式体积，使其具有更高的增益，同时该抛物线形曲面波导结构有利于压缩半导体光放大器的发散角，实现高功率输出，提高光纤耦合效率。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层的抛物线形曲面结构通过电子束曝光或紫外光刻，然后采用干法与湿法相结合的刻蚀工艺制备得到。
申请日期	2016-12-05
专利号	CN106785915A
专利状态	申请中
申请号	CN201611100374.6
公开（公告）号	CN106785915A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90655
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	魏志鹏,唐吉龙,贾慧民,等. 一种半导体光放大器. CN106785915A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785915A.PDF（65KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文