Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 波长为852nm的分布反馈激光器的结构和制作方法 | |
| 其他题名 | 波长为852nm的分布反馈激光器的结构和制作方法 |
| 付生辉; 钟源; 陈良惠 | |
| 2007-11-28 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2007-11-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种波长为852nm的分布反馈激光器的结构，包括：在N型GaAs衬底上依次制作的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下盖层、N型GaAs缓冲层、非掺AlGaAs下波导层、N型AlGaAs下盖层、非掺AlGaAs下垒层、非掺AlGaAs下波导层、非掺AlGaInAs有源层、非掺AlGaAs下垒层、非掺AlGaAs上垒层、非掺AlGaInAs有源层、非掺AlGaAs上波导层、非掺AlGaAs上垒层、非掺GaInP光栅层、非掺AlGaAs上波导层、非掺AlGaAs上盖层、非掺GaInP光栅层、P型AlGaAs上盖层、非掺AlGaAs上盖层、P型GaAs帽层、P型AlGaAs上盖层、SiO2层、P型GaAs帽层、P型电极以及N型电极。 |
| 其他摘要 | 一种波长为852nm的分布反馈激光器的结构，包括：在N型GaAs衬底上依次制作的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下盖层、N型GaAs缓冲层、非掺AlGaAs下波导层、N型AlGaAs下盖层、非掺AlGaAs下垒层、非掺AlGaAs下波导层、非掺AlGaInAs有源层、非掺AlGaAs下垒层、非掺AlGaAs上垒层、非掺AlGaInAs有源层、非掺AlGaAs上波导层、非掺AlGaAs上垒层、非掺GaInP光栅层、非掺AlGaAs上波导层、非掺AlGaAs上盖层、非掺GaInP光栅层、P型AlGaAs上盖层、非掺AlGaAs上盖层、P型GaAs帽层、P型AlGaAs上盖层、SiO2层、P型GaAs帽层、P型电极以及N型电极。 |
| 申请日期 | 2006-05-25 |
| 专利号 | CN101079532A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200610011982.X |
| 公开（公告）号 | CN101079532A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/12 | H01S5/20 | H01S5/30 | H01S5/323 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90651 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付生辉,钟源,陈良惠. 波长为852nm的分布反馈激光器的结构和制作方法. CN101079532A[P]. 2007-11-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101079532A.PDF（671KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [付生辉]的文章 |
| [钟源]的文章 |
| [陈良惠]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [付生辉]的文章 |
| [钟源]的文章 |
| [陈良惠]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [付生辉]的文章 |
| [钟源]的文章 |
| [陈良惠]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论