直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法

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	直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法
其他题名	直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法
	李爱珍; 郑燕兰; 李华; 胡雨生; 张永刚; 茹国平; 陈正秀
	2006-02-22
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2006-02-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III－V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III－V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。
其他摘要	本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III－V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III－V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。
申请日期	2005-08-25
专利号	CN1737998A
专利状态	失效
申请号	CN200510029096.5
公开（公告）号	CN1737998A
IPC 分类号	H01L21/205 \| H01L21/22 \| H01L33/00 \| H01S5/343 \| C23C16/44
专利代理人	潘振甦
代理机构	上海智信专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90645
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李爱珍,郑燕兰,李华,等. 直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法. CN1737998A[P]. 2006-02-22.

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CN1737998A.PDF（891KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文