一种低发散角的面发射量子级联激光器结构

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	一种低发散角的面发射量子级联激光器结构
其他题名	一种低发散角的面发射量子级联激光器结构
	张锦川; 姚丹阳; 闫方亮; 刘峰奇; 王利军; 刘俊岐; 王占国
	2014-01-22
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2014-01-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构，其包括：衬底；下波导层，该下波导层生长在该衬底正面；下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上；有源区，该有源区生长在下光限制层上；上光限制层，该上光限制层生长在该有源区上；光栅层，该光栅层制作于上光限制层的上，并且该光栅层具有二级分布反馈结构；上波导层，该上波导层生长在该光栅层上；亚波长金属光栅层，该亚波长金属光栅层制作于该衬底。本发明公开的上述方案用亚波长金属光栅结构对面发射量子级联激光器进行光束整形，既减小了波导方向的发散角又没有影响器件的倒装焊接。在中红外波段很容易激发等离子体波，且等离子体波的传播距离较远、吸收损耗较小。
其他摘要	本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构，其包括：衬底；下波导层，该下波导层生长在该衬底正面；下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上；有源区，该有源区生长在下光限制层上；上光限制层，该上光限制层生长在该有源区上；光栅层，该光栅层制作于上光限制层的上，并且该光栅层具有二级分布反馈结构；上波导层，该上波导层生长在该光栅层上；亚波长金属光栅层，该亚波长金属光栅层制作于该衬底。本发明公开的上述方案用亚波长金属光栅结构对面发射量子级联激光器进行光束整形，既减小了波导方向的发散角又没有影响器件的倒装焊接。在中红外波段很容易激发等离子体波，且等离子体波的传播距离较远、吸收损耗较小。
申请日期	2013-10-23
专利号	CN103532013A
专利状态	授权
申请号	CN201310503782.6
公开（公告）号	CN103532013A
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/06
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90626
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张锦川,姚丹阳,闫方亮,等. 一种低发散角的面发射量子级联激光器结构. CN103532013A[P]. 2014-01-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103532013A.PDF（474KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文