第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法

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	第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法
其他题名	第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法
	岩田雅年; 大鹿嘉和
	2016-04-13
专利权人	同和电子科技有限公司
公开日期	2016-04-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供抑制裂纹产生、EL光谱形状变为双峰的问题，并且表面平坦性更优异的第III族氮化物半导体外延基板和使用了它的第III族氮化物半导体以及它们的制造方法。按照本发明的第III族氮化物半导体外延基板(100)的特征在于，其具有：至少表面部分由AlN构成的基板(112)、在基板(112)上形成的非掺杂AlN层(114)、在非掺杂AlN层(114)上形成的Si掺杂AlN缓冲层(116)、和在Si掺杂AlN缓冲层(116)上形成的超晶格层叠体(120)，Si掺杂AlN缓冲层(116)具有2.0×1019/cm3以上的Si浓度，且厚度为4～10nm。
其他摘要	本发明提供抑制裂纹产生、EL光谱形状变为双峰的问题，并且表面平坦性更优异的第III族氮化物半导体外延基板和使用了它的第III族氮化物半导体以及它们的制造方法。按照本发明的第III族氮化物半导体外延基板(100)的特征在于，其具有：至少表面部分由AlN构成的基板(112)、在基板(112)上形成的非掺杂AlN层(114)、在非掺杂AlN层(114)上形成的Si掺杂AlN缓冲层(116)、和在Si掺杂AlN缓冲层(116)上形成的超晶格层叠体(120)，Si掺杂AlN缓冲层(116)具有2.0×1019/cm3以上的Si浓度，且厚度为4～10nm。
申请日期	2014-08-06
专利号	CN105493241A
专利状态	授权
申请号	CN201480044414.2
公开（公告）号	CN105493241A
IPC 分类号	H01L21/205 \| H01L33/12 \| H01L33/32 \| H01S5/343
专利代理人	刘新宇 \| 李茂家
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90590
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	同和电子科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	岩田雅年,大鹿嘉和. 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法. CN105493241A[P]. 2016-04-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105493241A.PDF（2316KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文