Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法 | |
| 其他题名 | 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法 |
| 张书明; 刘宗顺; 杨辉 | |
| 2008-09-17 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2008-09-17 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：在该绝缘衬底上的一侧利用化学腐蚀或干法刻蚀的方法将部分区域刻蚀到一深度形成台面结构；步骤3：用光刻的方法在该绝缘衬底上和形成的台面结构上形成激光器倒装用的电极图形，并用蒸发的方法及剥离技术在电极图形区域形成金属层；步骤4：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤5：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。 |
| 其他摘要 | 一种氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：在该绝缘衬底上的一侧利用化学腐蚀或干法刻蚀的方法将部分区域刻蚀到一深度形成台面结构；步骤3：用光刻的方法在该绝缘衬底上和形成的台面结构上形成激光器倒装用的电极图形，并用蒸发的方法及剥离技术在电极图形区域形成金属层；步骤4：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤5：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。 |
| 申请日期 | 2007-03-14 |
| 专利号 | CN101267088A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200710064385.8 |
| 公开（公告）号 | CN101267088A |
| IPC 分类号 | H01S5/024 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90586 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张书明,刘宗顺,杨辉. 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法. CN101267088A[P]. 2008-09-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101267088A.PDF（387KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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