Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 宽光谱晶闸管激光器的制备方法 | |
| 其他题名 | 宽光谱晶闸管激光器的制备方法 |
| 王嘉琪; 刘震; 于红艳; 周旭亮; 李召松; 王圩; 潘教青 | |
| 2017-08-18 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2017-08-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括：在衬底上制备半导体外延层结构，在半导体外延层结构上形成脊条结构，在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中，通过结合传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，引入上N型区，完成具备高输出功率，且有高稳定性和可控性的PNPiN结构宽光谱晶闸管激光器的制备。制备工艺简单可控，成本低廉，易于实现批量生产。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括：在衬底上制备半导体外延层结构，在半导体外延层结构上形成脊条结构，在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中，通过结合传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，引入上N型区，完成具备高输出功率，且有高稳定性和可控性的PNPiN结构宽光谱晶闸管激光器的制备。制备工艺简单可控，成本低廉，易于实现批量生产。 |
| 申请日期 | 2017-01-24 |
| 专利号 | CN107069427A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710062988.8 |
| 公开（公告）号 | CN107069427A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/343 | H01S5/062 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90574 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王嘉琪,刘震,于红艳,等. 宽光谱晶闸管激光器的制备方法. CN107069427A[P]. 2017-08-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107069427A.PDF（798KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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