Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底 | |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底 |
| 小林俊雅; 东条刚 | |
| 1999-10-13 | |
| 专利权人 | 索尼株式会社 |
| 公开日期 | 1999-10-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2,在台面部分12的相对两侧的位置上,将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11—20)取向表面延伸,并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理,以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。 |
| 其他摘要 | 半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2,在台面部分12的相对两侧的位置上,将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11—20)取向表面延伸,并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理,以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。 |
| 申请日期 | 1999-03-05 |
| 专利号 | CN1231533A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN99105616 |
| 公开（公告）号 | CN1231533A |
| IPC 分类号 | H01L33/32 | H01L21/301 | H01L29/04 | H01L33/00 | H01L33/36 | H01S5/00 | H01S5/02 | H01S5/323 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | 王永刚 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90565 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林俊雅,东条刚. 半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底. CN1231533A[P]. 1999-10-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1231533A.PDF（1306KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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