Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件 | |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件 |
| 范广涵 | |
| 2003-07-23 | |
| 专利权人 | 华南师范大学 |
| 公开日期 | 2003-07-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件，准确地是一种III族氮化物的半导体蓝色发光器件，其有源区两侧的包层中至少包括一层M*(Alx1Inx2Gax3N－Aly1Iny2Gay3N)应变层超晶格结构，该结构能消除GaN与衬底晶格失配引起的缺陷，比通常的AlGaN包层有改善晶体完整性等优点，能更有效和更均匀的将载流子限制在有源区，从而提高复合发光效率和均匀性。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体器件，准确地是一种III族氮化物的半导体蓝色发光器件，其有源区两侧的包层中至少包括一层M*(Alx1Inx2Gax3N－Aly1Iny2Gay3N)应变层超晶格结构，该结构能消除GaN与衬底晶格失配引起的缺陷，比通常的AlGaN包层有改善晶体完整性等优点，能更有效和更均匀的将载流子限制在有源区，从而提高复合发光效率和均匀性。 |
| 申请日期 | 2003-02-18 |
| 专利号 | CN1431722A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03113770.9 |
| 公开（公告）号 | CN1431722A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01S5/30 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 何燕玲 | 罗勇 |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90559 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范广涵. Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件. CN1431722A[P]. 2003-07-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1431722A.PDF（378KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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