使用ＣＭＯＳ製造技術之波導形成

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	使用ＣＭＯＳ製造技術之波導形成
其他题名	使用ＣＭＯＳ製造技術之波導形成
	歐窟特　傑森　史考特; 藍姆　瑞吉姆　賈嘎; 瑪塔　凱倫　卡提克
	2015-08-01
专利权人	美國麻省理工學院
公开日期	2015-08-01
授权国家	中国台湾
专利类型	发明申请
摘要	將波導積體於標準電子製程內之習知方法通常涉及：於該鑄造廠內製程內使用介電層(諸如多晶矽、單晶矽或氮化矽)或於作為鑄造廠製程後之後端中沈積且圖案化介電層。在本方法中，該矽手柄之後端在鑄造廠內處理之後被蝕刻去除，以便曝露使用標準鑄造廠內處理(例如，互補金屬氧半導體(CMOS)處理)界定的空隙或溝槽。將介電材料沈積於空隙或溝槽中得到經積體於晶圓之前端內的光波導。例如，形成於鑄造廠內之淺溝槽隔離(STI)層在晶粒或晶圓之前端內可用作鑲嵌製程中之高解析度圖案化波導模板。利用高折射率介電材料填充該溝槽得到可引導可見光及/或紅外光的波導，其取決於該波導之尺寸及折射率對比度。
其他摘要	將波導積體於標準電子製程內之習知方法通常涉及：於該鑄造廠內製程內使用介電層(諸如多晶矽、單晶矽或氮化矽)或於作為鑄造廠製程後之後端中沈積且圖案化介電層。在本方法中，該矽手柄之後端在鑄造廠內處理之後被蝕刻去除，以便曝露使用標準鑄造廠內處理(例如，互補金屬氧半導體(CMOS)處理)界定的空隙或溝槽。將介電材料沈積於空隙或溝槽中得到經積體於晶圓之前端內的光波導。例如，形成於鑄造廠內之淺溝槽隔離(STI)層在晶粒或晶圓之前端內可用作鑲嵌製程中之高解析度圖案化波導模板。利用高折射率介電材料填充該溝槽得到可引導可見光及/或紅外光的波導，其取決於該波導之尺寸及折射率對比度。
申请日期	2014-10-22
专利号	TW201530945A
专利状态	授权
申请号	TW103136530
公开（公告）号	TW201530945A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/22 \| H01S5/327 \| G02B6/12
专利代理人	陳長文
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90551
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	美國麻省理工學院
推荐引用方式 GB/T 7714	歐窟特　傑森　史考特,藍姆　瑞吉姆　賈嘎,瑪塔　凱倫　卡提克. 使用ＣＭＯＳ製造技術之波導形成. TW201530945A[P]. 2015-08-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TW201530945A.PDF（13022KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文