Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件及制备 | |
| 其他题名 | SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件及制备 |
| 李锟; 祝世宁; 王飞燕; 朱永元; 闵乃本 | |
| 2004-04-07 | |
| 专利权人 | 南京大学 |
| 公开日期 | 2004-04-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | SiO2衬底上Nd：YVO4光波导薄膜器件，SiO2衬底上生长Nd：YVO4光波导薄膜，薄膜沿晶轴取向，用807－810nm的泵浦光激发薄膜时能得到064和342μm的红外光。其制备是使用脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的Nd：YVO4光波导薄膜，以掺杂的YVO4晶体或陶瓷为靶材(包括Er：YVO4、Tm：YVO4等)，通过脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的光波导薄膜；生长的温度范围：700－800℃。本发明在玻璃衬底上成功实现了a轴取向Nd：YVO4薄膜的生长，所使用的PLD生长工艺比较成熟，方法简单易行，具有很强的可操作性。 |
| 其他摘要 | SiO2衬底上Nd：YVO4光波导薄膜器件，SiO2衬底上生长Nd：YVO4光波导薄膜，薄膜沿晶轴取向，用807－810nm的泵浦光激发薄膜时能得到064和342μm的红外光。其制备是使用脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的Nd：YVO4光波导薄膜，以掺杂的YVO4晶体或陶瓷为靶材(包括Er：YVO4、Tm：YVO4等)，通过脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的光波导薄膜；生长的温度范围：700－800℃。本发明在玻璃衬底上成功实现了a轴取向Nd：YVO4薄膜的生长，所使用的PLD生长工艺比较成熟，方法简单易行，具有很强的可操作性。 |
| 申请日期 | 2003-08-22 |
| 专利号 | CN1487636A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03152810.4 |
| 公开（公告）号 | CN1487636A |
| IPC 分类号 | C23C14/08 | C23C14/24 | H01L21/02 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 陈建和 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90527 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李锟,祝世宁,王飞燕,等. SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件及制备. CN1487636A[P]. 2004-04-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1487636A.PDF（430KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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