半导体光元件和集成型半导体光元件

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	半导体光元件和集成型半导体光元件
其他题名	半导体光元件和集成型半导体光元件
	境野刚
	2011-06-29
专利权人	三菱电机株式会社
公开日期	2011-06-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明能够获得半导体光元件和集成型半导体光元件，其中，在台面条状的层叠体的侧部具有埋入层的半导体光元件和集成型半导体光元件中，能够抑制在埋入层中流过的无效电流，并且实现高速响应特性。形成有在p型半导体衬底(1)上从下层起至少依次层叠了p型包覆层(2)、活性层(3)和n型包覆层(4)的台面条状的层叠体，在层叠体的侧部形成有埋入层，在埋入层中从下层起依次层叠有第一p型半导体层(5)、第一n型半导体层(6)、Fe掺杂半导体层(7)、第二n型半导体层(8)、低载流子浓度半导体层(9)和第二p型半导体层(10)，Fe掺杂半导体层(7)不在由第一p型半导体层(5)和第一n型半导体层(6)构成的结晶面的(111)B面上生长，第二n型半导体层(8)不在由第一n型半导体层(5)、第一n型半导体层(6)和Fe掺杂半导体层(7)构成的结晶面的(111)B面上生长。
其他摘要	本发明能够获得半导体光元件和集成型半导体光元件，其中，在台面条状的层叠体的侧部具有埋入层的半导体光元件和集成型半导体光元件中，能够抑制在埋入层中流过的无效电流，并且实现高速响应特性。形成有在p型半导体衬底(1)上从下层起至少依次层叠了p型包覆层(2)、活性层(3)和n型包覆层(4)的台面条状的层叠体，在层叠体的侧部形成有埋入层，在埋入层中从下层起依次层叠有第一p型半导体层(5)、第一n型半导体层(6)、Fe掺杂半导体层(7)、第二n型半导体层(8)、低载流子浓度半导体层(9)和第二p型半导体层(10)，Fe掺杂半导体层(7)不在由第一p型半导体层(5)和第一n型半导体层(6)构成的结晶面的(111)B面上生长，第二n型半导体层(8)不在由第一n型半导体层(5)、第一n型半导体层(6)和Fe掺杂半导体层(7)构成的结晶面的(111)B面上生长。
申请日期	2010-06-02
专利号	CN102110953A
专利状态	授权
申请号	CN201010196843.5
公开（公告）号	CN102110953A
IPC 分类号	H01S5/227
专利代理人	闫小龙 \| 王忠忠
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90522
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	境野刚. 半导体光元件和集成型半导体光元件. CN102110953A[P]. 2011-06-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102110953A.PDF（829KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文