Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 | |
其他题名 | 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 |
于春满; 朱海军; 张兴 | |
2016-11-09 | |
专利权人 | 成都斯科泰科技有限公司 |
公开日期 | 2016-11-09 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构,该结构为多层结构,其特征在于,包括:一N型GaSb衬底;一N型GaSb缓冲层,该缓冲层生长在衬底上;一N型AlGaAsSb覆盖层,该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上;一AlGaAsSb下波导层,该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上;一AlGaAsSb下势垒层,该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上;一InPSb空穴阻挡层,该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上;一InGaAsSb量子阱层,该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上;一AlGaAsSb上势垒层,该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上;一AlGaAsSb上波导层,该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上;一P型AlGaAsSb覆盖层,该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上;一P型GaSb欧姆接触层,该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。 |
其他摘要 | 一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构,该结构为多层结构,其特征在于,包括:一N型GaSb衬底;一N型GaSb缓冲层,该缓冲层生长在衬底上;一N型AlGaAsSb覆盖层,该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上;一AlGaAsSb下波导层,该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上;一AlGaAsSb下势垒层,该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上;一InPSb空穴阻挡层,该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上;一InGaAsSb量子阱层,该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上;一AlGaAsSb上势垒层,该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上;一AlGaAsSb上波导层,该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上;一P型AlGaAsSb覆盖层,该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上;一P型GaSb欧姆接触层,该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。 |
申请日期 | 2016-08-12 |
专利号 | CN106099643A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201610660267.2 |
公开(公告)号 | CN106099643A |
IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/343 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90513 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 成都斯科泰科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 于春满,朱海军,张兴. 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构. CN106099643A[P]. 2016-11-09. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106099643A.PDF(107KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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