电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置

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	电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置
其他题名	电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置
	陈鑫; 韩宇; 李鸿建
	2016-11-16
专利权人	武汉华工正源光子技术有限公司
公开日期	2016-11-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、选择衬底，在衬底上依次生长覆盖缓冲层；S2、在缓冲层上依次生长下波导层、多量子阱层和上波导层；并分成激光器生长区域和电吸收调制器生长区域；S3、在上波导层上方依次生长停止层、包覆层和接触层；S4、在接触层上依次制作脊型波导、隔离区和接触条；S5、制作激光光栅；S6、制作P面电极、N面电极，并将衬底剪薄；S7、解条、镀膜。采用脊型波导结构，同时利用侧向耦合光栅进行选频和光反馈，进一步减少芯片制作成本。
其他摘要	本发明涉及一种电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、选择衬底，在衬底上依次生长覆盖缓冲层；S2、在缓冲层上依次生长下波导层、多量子阱层和上波导层；并分成激光器生长区域和电吸收调制器生长区域；S3、在上波导层上方依次生长停止层、包覆层和接触层；S4、在接触层上依次制作脊型波导、隔离区和接触条；S5、制作激光光栅；S6、制作P面电极、N面电极，并将衬底剪薄；S7、解条、镀膜。采用脊型波导结构，同时利用侧向耦合光栅进行选频和光反馈，进一步减少芯片制作成本。
申请日期	2016-08-25
专利号	CN106129809A
专利状态	授权
申请号	CN201610727196.3
公开（公告）号	CN106129809A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/06
专利代理人	程殿军 \| 张瑾
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90502
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉华工正源光子技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	陈鑫,韩宇,李鸿建. 电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置. CN106129809A[P]. 2016-11-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106129809A.PDF（136KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文