一种准分子激光器脉冲电源

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	一种准分子激光器脉冲电源
其他题名	一种准分子激光器脉冲电源
	胡耀文; 左都罗; 王新兵; 陆培祥; 徐勇跃; 胡守岩; 李凌峰
	2013-04-10
专利权人	华中科技大学
公开日期	2013-04-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种准分子激光器脉冲电源，属于脉冲功率技术，解决现有脉冲电源中高压磁开关需要较复杂复位电路的问题，以简化电路结构，提高可靠性。本发明包括IGBT开关管、开关管驱动电路、一级磁开关、直流偏置电流源、可饱和脉冲变压器和二级磁开关。本发明在一级磁开关压缩电路设置直流偏置电流源，可控制调节初级储能电路能量转移效率、脉冲压缩宽度以及脉冲延时；利用可饱和脉冲变压器次级绕组和二级磁开关两端充放电电压方向相反的特殊性，省去了磁芯复位电路，两级磁开关均可在长期高重复率条件下工作，具有较强的通流能力和较高的耐压承受等级，故障率极低且基本免维护；特别适用于要求精准延时控制的光刻用短脉冲放电激励的气体激光器。
其他摘要	一种准分子激光器脉冲电源，属于脉冲功率技术，解决现有脉冲电源中高压磁开关需要较复杂复位电路的问题，以简化电路结构，提高可靠性。本发明包括IGBT开关管、开关管驱动电路、一级磁开关、直流偏置电流源、可饱和脉冲变压器和二级磁开关。本发明在一级磁开关压缩电路设置直流偏置电流源，可控制调节初级储能电路能量转移效率、脉冲压缩宽度以及脉冲延时；利用可饱和脉冲变压器次级绕组和二级磁开关两端充放电电压方向相反的特殊性，省去了磁芯复位电路，两级磁开关均可在长期高重复率条件下工作，具有较强的通流能力和较高的耐压承受等级，故障率极低且基本免维护；特别适用于要求精准延时控制的光刻用短脉冲放电激励的气体激光器。
申请日期	2012-11-28
专利号	CN103036146A
专利状态	授权
申请号	CN201210493440.6
公开（公告）号	CN103036146A
IPC 分类号	H01S5/042
专利代理人	方放
代理机构	华中科技大学专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90494
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华中科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	胡耀文,左都罗,王新兵,等. 一种准分子激光器脉冲电源. CN103036146A[P]. 2013-04-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103036146A.PDF（470KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文