Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺 | |
| 其他题名 | 一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺 |
| 李效民; 张灿云; 边继明; 于伟东; 高相东 | |
| 2006-06-07 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 公开日期 | 2006-06-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜及其制备工艺，采用超声喷雾热解法，以Zn的有机或无机盐溶液，N的有机或无机盐溶液和Al的无机盐溶液的混合溶液为前驱体，通过调节Zn2+∶NH4+∶Al3+＝1∶(1－3)∶(0.01－0.2)并控制衬底温度在600－900℃可实现对p型ZnO薄膜电性能的控制。本发明制备的p型ZnO薄膜的电阻率在10－1－10－2Ωcm，迁移率最高可达103cm2V－1s－1，并且薄膜的晶粒大小均匀、排列致密，同时薄膜具有强的(101)取向的结晶特性和常温紫外发光特性。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜及其制备工艺，采用超声喷雾热解法，以Zn的有机或无机盐溶液，N的有机或无机盐溶液和Al的无机盐溶液的混合溶液为前驱体，通过调节Zn2+∶NH4+∶Al3+＝1∶(1－3)∶(0.01－0.2)并控制衬底温度在600－900℃可实现对p型ZnO薄膜电性能的控制。本发明制备的p型ZnO薄膜的电阻率在10－1－10－2Ωcm，迁移率最高可达103cm2V－1s－1，并且薄膜的晶粒大小均匀、排列致密，同时薄膜具有强的(101)取向的结晶特性和常温紫外发光特性。 |
| 申请日期 | 2004-12-03 |
| 专利号 | CN1783433A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410089074.3 |
| 公开（公告）号 | CN1783433A |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01S5/327 | H01S5/347 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90459 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李效民,张灿云,边继明,等. 一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺. CN1783433A[P]. 2006-06-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1783433A.PDF（448KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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