氮化物半导体发光元件、外延基板及氮化物半导体发光元件的制作方法

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	氮化物半导体发光元件、外延基板及氮化物半导体发光元件的制作方法
其他题名	氮化物半导体发光元件、外延基板及氮化物半导体发光元件的制作方法
	京野孝史; 善积祐介; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道
	2011-12-21
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2011-12-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	提供一种氮化物半导体发光元件，其包括设置在具有半极性面的GaN支撑基体上的发光层，可抑制因错配位错导致的发光效率的降低。氮化物半导体发光元件(11)包括：包含六方晶系氮化镓的支撑基体(13)；包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N(0＜X1＜1，0＜Y1＜1，X1+Y1＜1)层(21)的n型氮化镓系半导体层(15)；发光层(17)；及p型氮化镓系半导体层(19)。该InAlGaN层(21)设置在半极性主面(13a)和发光层(17)之间。InAlGaN层(21)的带隙(E)为氮化镓的带隙(E)以上，因此可提供向发光层(17)的载流子及光的封闭效果。虽InAlGaN层(21)的c面(Sc2)相对于法线轴(AX)倾斜，但以c面为主的滑移面的错配位错的密度相比AlGaN有所降低。
其他摘要	提供一种氮化物半导体发光元件，其包括设置在具有半极性面的GaN支撑基体上的发光层，可抑制因错配位错导致的发光效率的降低。氮化物半导体发光元件(11)包括：包含六方晶系氮化镓的支撑基体(13)；包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N(0＜X1＜1，0＜Y1＜1，X1+Y1＜1)层(21)的n型氮化镓系半导体层(15)；发光层(17)；及p型氮化镓系半导体层(19)。该InAlGaN层(21)设置在半极性主面(13a)和发光层(17)之间。InAlGaN层(21)的带隙(E)为氮化镓的带隙(E)以上，因此可提供向发光层(17)的载流子及光的封闭效果。虽InAlGaN层(21)的c面(Sc2)相对于法线轴(AX)倾斜，但以c面为主的滑移面的错配位错的密度相比AlGaN有所降低。
申请日期	2009-12-28
专利号	CN102292884A
专利状态	失效
申请号	CN200980155417.2
公开（公告）号	CN102292884A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L21/205
专利代理人	谢丽娜 \| 关兆辉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90456
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	京野孝史,善积祐介,盐谷阳平,等. 氮化物半导体发光元件、外延基板及氮化物半导体发光元件的制作方法. CN102292884A[P]. 2011-12-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102292884A.PDF（2559KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文