Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
用于光子集成电路的混合垂直腔激光器 | |
其他题名 | 用于光子集成电路的混合垂直腔激光器 |
金泽; I.施彻巴特科 | |
2014-04-16 | |
专利权人 | 三星电子株式会社 |
公开日期 | 2014-04-16 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本公开提供一种用于光子集成电路(PIC)的混合垂直腔激光器。用于PIC的混合垂直腔激光器包括:光栅反射镜,在两个低折射率层之间;光波导,光耦合到光栅反射镜;III-V半导体层,包括有源层,设置在两个低折射率层的中的一个上;以及上反射镜,覆盖III-V半导体层。光栅反射镜包括形成彼此平行布置的多个柱状的低折射率材料部分。低折射率材料部分在宽度方向上具有至少两个不同的宽度。 |
其他摘要 | 本公开提供一种用于光子集成电路(PIC)的混合垂直腔激光器。用于PIC的混合垂直腔激光器包括:光栅反射镜,在两个低折射率层之间;光波导,光耦合到光栅反射镜;III-V半导体层,包括有源层,设置在两个低折射率层的中的一个上;以及上反射镜,覆盖III-V半导体层。光栅反射镜包括形成彼此平行布置的多个柱状的低折射率材料部分。低折射率材料部分在宽度方向上具有至少两个不同的宽度。 |
申请日期 | 2013-06-17 |
专利号 | CN103730832A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201310240274.3 |
公开(公告)号 | CN103730832A |
IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/10 |
专利代理人 | 王新华 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90438 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三星电子株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 金泽,I.施彻巴特科. 用于光子集成电路的混合垂直腔激光器. CN103730832A[P]. 2014-04-16. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN103730832A.PDF(1945KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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