OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
用于光子集成电路的混合垂直腔激光器
其他题名用于光子集成电路的混合垂直腔激光器
金泽; I.施彻巴特科
2014-04-16
专利权人三星电子株式会社
公开日期2014-04-16
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本公开提供一种用于光子集成电路(PIC)的混合垂直腔激光器。用于PIC的混合垂直腔激光器包括:光栅反射镜,在两个低折射率层之间;光波导,光耦合到光栅反射镜;III-V半导体层,包括有源层,设置在两个低折射率层的中的一个上;以及上反射镜,覆盖III-V半导体层。光栅反射镜包括形成彼此平行布置的多个柱状的低折射率材料部分。低折射率材料部分在宽度方向上具有至少两个不同的宽度。
其他摘要本公开提供一种用于光子集成电路(PIC)的混合垂直腔激光器。用于PIC的混合垂直腔激光器包括:光栅反射镜,在两个低折射率层之间;光波导,光耦合到光栅反射镜;III-V半导体层,包括有源层,设置在两个低折射率层的中的一个上;以及上反射镜,覆盖III-V半导体层。光栅反射镜包括形成彼此平行布置的多个柱状的低折射率材料部分。低折射率材料部分在宽度方向上具有至少两个不同的宽度。
申请日期2013-06-17
专利号CN103730832A
专利状态失效
申请号CN201310240274.3
公开(公告)号CN103730832A
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/10
专利代理人王新华
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90438
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三星电子株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
金泽,I.施彻巴特科. 用于光子集成电路的混合垂直腔激光器. CN103730832A[P]. 2014-04-16.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN103730832A.PDF(1945KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[金泽]的文章
[I.施彻巴特科]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[金泽]的文章
[I.施彻巴特科]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[金泽]的文章
[I.施彻巴特科]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。