Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 用液相外延法生长氧化锌蓝紫光半导体 | |
| 其他题名 | 用液相外延法生长氧化锌蓝紫光半导体 |
| 涂朝阳; 吴柏昌; 李坚富; 朱昭捷; 王燕; 游振宇; 黄燕 | |
| 2005-06-01 | |
| 专利权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 公开日期 | 2005-06-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明阐述用液相外延法生长ZnO蓝紫光半导体。首先选择含有P2O5助熔剂的生长体系，采用熔盐法生长出掺杂有P5+离子的ZnO－p型半导体单晶；然后选择含有Al2O3助熔剂的生长体系，采用液相外延法，在ZnO－p型半导体单晶表面生长出掺杂有Al3+离子的ZnO－n型半导体单晶，通过晶体器件加工，可以制备出具有p－n结的ZnO蓝紫光半导体器件。采用此法生长的ZnO蓝紫光半导体单晶，具有低缺陷、高完整性的优点，且生长装备简单，费用便宜。 |
| 其他摘要 | 本发明阐述用液相外延法生长ZnO蓝紫光半导体。首先选择含有P2O5助熔剂的生长体系，采用熔盐法生长出掺杂有P5+离子的ZnO－p型半导体单晶；然后选择含有Al2O3助熔剂的生长体系，采用液相外延法，在ZnO－p型半导体单晶表面生长出掺杂有Al3+离子的ZnO－n型半导体单晶，通过晶体器件加工，可以制备出具有p－n结的ZnO蓝紫光半导体器件。采用此法生长的ZnO蓝紫光半导体单晶，具有低缺陷、高完整性的优点，且生长装备简单，费用便宜。 |
| 申请日期 | 2003-11-27 |
| 专利号 | CN1622409A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200310115258.8 |
| 公开（公告）号 | CN1622409A |
| IPC 分类号 | C30B19/00 | H01L21/36 | H01L33/00 | H01S5/32 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90414 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 涂朝阳,吴柏昌,李坚富,等. 用液相外延法生长氧化锌蓝紫光半导体. CN1622409A[P]. 2005-06-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1622409A.PDF（235KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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