具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器

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	具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器
其他题名	具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器
	陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉
	2015-06-24
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-06-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器，包括：一氮化镓同质衬底；一n型GaN同质外延层，其制作在氮化镓同质衬底上；一n型AlGaN限制层，其制作在n型GaN同质外延层上；一n型GaN波导层，其制作在n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN量子阱有源区，其制作在n型GaN波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层，其制作在InGaN/GaN量子阱有源区上；一p型GaN波导层，其制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型AlGaN限制层，其制作在p型GaN波导层上，该p型AlGaN限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层，其制作在p型AlGaN限制层凸起的脊形上；一p型欧姆电极，其制作在p型掺杂/p型重掺接触层上；一n型欧姆电极，其制作在氮化镓同质衬底的下表面。
其他摘要	一种具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器，包括：一氮化镓同质衬底；一n型GaN同质外延层，其制作在氮化镓同质衬底上；一n型AlGaN限制层，其制作在n型GaN同质外延层上；一n型GaN波导层，其制作在n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN量子阱有源区，其制作在n型GaN波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层，其制作在InGaN/GaN量子阱有源区上；一p型GaN波导层，其制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型AlGaN限制层，其制作在p型GaN波导层上，该p型AlGaN限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层，其制作在p型AlGaN限制层凸起的脊形上；一p型欧姆电极，其制作在p型掺杂/p型重掺接触层上；一n型欧姆电极，其制作在氮化镓同质衬底的下表面。
申请日期	2015-02-02
专利号	CN104734015A
专利状态	授权
申请号	CN201510052314.0
公开（公告）号	CN104734015A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90413
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈平,赵德刚,朱建军,等. 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器. CN104734015A[P]. 2015-06-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104734015A.PDF（665KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文